正式交付! 中国半导体装备重大突破, 技术指标已超越日本!

2025年8月1日，必将成为中国半导体装备制造史上值得铭记的日子，中国半导体产业突然迎来了里程碑式突破。

因为就在这一天，由国内高科技企业璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利完成了验收程序，正式交付国内特色工艺客户投入实际生产应用。

这一交付，标志着我国实现了高端半导体级纳米压印光刻系统的自主可控，填补了国内在该领域的空白，打破了西方国家在高端纳米压印设备领域对中国的技术封锁。

技术指标方面，PL-SR系列设备实现了多项全球领先的突破。

这款纳米压印光刻机支持的线宽精度小于10nm，平均残余层厚度控制在10nm以内且波动范围小于2nm，压印结构深宽比突破7:1。

这些核心参数不仅达到了半导体级制造的标准，更超越了日本佳能旗舰产品的14nm线宽的制程能力。

战略意义上，这一突破打破了西方国家对中国的技术封锁。

虽然压印光刻机虽然不属于传统的光刻机，但佳能的FPA-1200NZ2C设备一直对中国实施禁运，试图阻碍中国半导体产业的进步。

而璞璘科技的成功研发，使得国内芯片制造企业首次获得了自主可控的高端纳米压印解决方案，为后续工艺研发和产能提升奠定了装备基础。

产业化进程方面，顺利交付意味着该技术已具备产业化落地条件。

据了解，本次交付并非实验室样机，而是直接面向量产客户的商用设备。

设备采用模块化设计，最小可实现20mm×20mm压印模板的均匀拼接，最终可扩展至12英寸晶圆级超大模板生产，为未来规模化量产提供了技术保障。

璞璘PL-SR系列纳米压印光刻机的成功研发，绝非偶然的技术突破，而是建立在对多项关键技术的系统性攻克之上。

喷墨涂胶工艺的创新是PL-SR设备的核心突破点之一，在传统半导体制造中，光刻胶的均匀涂布至关重要，而纳米压印技术对这一工艺的要求更为严苛。

璞璘PL-SR设备通过独创的喷墨算法系统，实现了对局部胶量的精准动态调控，能够根据芯片结构的变化实时调整压印胶的喷涂量。

模板面型控制技术是另一项关键突破，在极小线宽压印工艺中，硬质石英模板与硅晶圆之间存在固有的翘曲率差异，传统方法难以实现完美贴合。

璞璘PL-SR设备搭载了自主开发的模板面型控制系统，通过高精度传感器网络和实时反馈机制，能够在整个压印过程中动态调整模板姿态，确保纳米级的贴合精度。

无残余层压印工艺的实现，展现了PL-SR设备的技术成熟度，与传统光刻类似，纳米压印后的刻蚀工序对压印层的均匀性和稳定性要求极高。

璞璘科技通过对设备、材料和工艺系统的协同优化，开发出了无残余层压印技术，消除了传统工艺中因残余层厚度不均导致的刻蚀偏差。

拼接对准系统是PL-SR设备的又一技术亮点，为实现晶圆级量产，设备采用了高精度拼版技术，能够将多个小面积模板的图案无缝拼接至12英寸晶圆上。

璞璘PL-SR设备配备的喷墨打印式涂胶方案与光学对准系统协同工作，实现了20mm×20mm模板的均匀拼接，对准精度达到行业领先水平。

璞璘PL-SR设备的横空出世，将直接挑战日本在纳米压印光刻领域的传统主导地位，技术参数的直接对比显示，中国设备已在关键指标上实现超越。

佳能FPA-1200NZ2C于2023年推出时曾引起业界震动，其14nm的线宽能力号称可对应5nm节点芯片制造，而璞璘PL-SR设备将这一指标提升至10nm以下，在制程精度上实现了明显领先。

在残余层控制方面，璞璘PL-SR设备将平均残余层厚度压缩至10nm以内且波动小于2nm，同样优于佳能设备的性能表现。

毫无疑问，璞璘PL-SR纳米压印光刻机的交付不仅是一项技术突破，更是中国半导体创新的一个重要里程碑，将对中国半导体产业链产生深远影响。

但产业界仍需保持理性认知，既看到技术进步带来的机遇，也应清醒认识存在的挑战，只有持续投入、协同创新，才能将这一技术突破转化为持久的产业竞争力！